零件状态: 在售

FET 类型: P 沟道

技术: MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）: 70V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 160 毫欧 @ 2.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）: 18nC @ 10V

Vgs（最大值）: ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 635pF @ 40V

FET 功能: -

功率耗散（最大值）: 2.11W（Ta）

工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型: 表面贴装

供应商器件封装: TO-252-3

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

企业名：深圳市佳芯恒业科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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