否
XY
BU941Z
达林顿
硅(Si)
N/P型
350（V）
30（A）
外延型
直插型
塑料封装
企业名：丹东鑫原电子有限公司
类型：生产型 贸易型
电话：
8604152188181
2188585
手机：13904956321
联系人：杨学
地址：辽宁中国辽宁丹东市元宝区新华街12号
汽车点火器用功率达林顿管，内设保护稳压二极管（芯片表面有保护膜）封装外型：TO-3P,TO-218,TO-220,TO-263，同类产品：BU323Z,ST931ZT,BU932Z,BU941ZT,BU931ZT,BU323ZT(电流Ic：15A;Icm：30A)
1， 参数资料
symbol | parameter | unit | Value |
Vcbo | Collector-base voltage | V | 350 |
Vceo | Collector-emitter voltage | V | 350 |
Vebo | Emitter-base voltage | V | 5 |
Ic | Collector current | A | 15 |
Icm | Collector peak current | A | 30 |
Ib | Base current | A | 1 |
Ibm | Base peak current | A | 2 |
电子性能（Tc=25C）
Symbol | Parameter | Unit | Value | Test conditions |
Iceo | Collector-emitter Current(反向) | μA | <100 | Vce=300V,Ib=0 |
Vceo | Collector-emitter Voltage (限制) | V | >350
| Ic=100mA,Ib=0 |
Iebo | Emitter-base Current(反向) | mA | <=20 | Veb=5.0V,Ico=0 |
Vce(sat) | Collector-emitter Saturation voltage | V | <=1.8 <=1.8 <=2.0 | Ic=8A,Ib=100mA Ic=10A,Ib=250mA Ic=12A,Ib=300mA |
Vbe(sat) | Base-emitter Saturation voltage | V | <=2.2 <=2.5 <=2.7 | Ic=8A,Ib=100mA Ic=10A,Ib=250mA Ic=12A,Ib=300mA |
Hfe | DC current gain |
| >300 | Ic=5A,Vce=5V |
VcL | Clamping voltage | V | 350-500 | Ic=100mA |
Vf | Diode forward Voltage | V | <2.5 | If=10A |
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