产品信息
晶体管极性: N沟道 电流, 

Id 连续: 120A 漏源电压, 

Vds: 75V 

在电阻RDS（上）: 7.5mohm 

电压 @ Rds测量: 10V 

阈值电压 Vgs: 4V 

功耗 Pd: 310W 

晶体管封装类型: TO-220 

针脚数: 3引脚 

工作温度值: 175°C 

产品范围: - 

汽车质量标准: -

MSL:  -

    MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

   深圳市华泰嘉业科技有限公司主营世界各名厂家的二极管,三极管.可控硅.三端稳压.场效应管及功率模块.IC/集成电路等电子元器件.SMD元件

企业名：深圳市华泰嘉业科技有限公司

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