MOS场效应管 W5NK100Z 全新原装进口现货

型号/规格：
W5NK100Z
品牌/商标：
ST（意法半导体）
封装形式：
TO-247
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
直插式
包装方式：
管装

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产品分类

集成电路(IC)(4)
∟ 逻辑IC(1)∟ 其他IC(3)
电源IC(1)
∟ DC-DC(1)
二极管(5)
∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ ESD静电二极管(3)∟ 肖特基二极管(1)
场效应管MOSFET(6)
∟ MOSFET(6)
单片机(1)
∟ 其它单片机配套产品/服务(1)
电阻器(1)
∟ 排阻/网络电阻(1)
电位器(1)
∟ 陶瓷电位器(1)
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商品信息

从名字表面的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。

MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。

今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。

当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是N型，那么通道也会是N型。通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

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