SI4835DDY-T1-GE3
VISHAY/威世
8-SOIC
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
P 通道
企业名:深圳市英特翎科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83299553
手机:15712006850
联系人:陈先生
微信:
邮箱:nikki-wxp@interine.com
地址:广东深圳深圳市华强北新亚洲电子商城一期6楼628室
型号SI4835DDY-T1-GE3
SI4835DDY-T1-GE3
SI4835DDY-T1-GE3
SI4835DDY-T1-GE3
类别 晶体管
FET,MOSFET8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
类别 晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 卷带(TR)
剪切带(CT)
FET 类型 P通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
18 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
65 nC @ 10 V
Vgs(大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1960 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(大值)
2.5W(Ta),5.6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
类别 晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 卷带(TR)
剪切带(CT)
FET 类型 P通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
18 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
65 nC @ 10 V
Vgs(大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1960 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(大值)
2.5W(Ta),5.6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
企业名:深圳市英特翎科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83299553
手机:15712006850
联系人:陈先生
微信:
邮箱:nikki-wxp@interine.com
地址:广东深圳深圳市华强北新亚洲电子商城一期6楼628室