NCE2010E
NCE新洁能
TSSOP-8
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
18028704788
0755-82577335
0755-82543235
0755-82534547
手机:18720511991
13410894495
18720511991
15919489657
联系人:龙婷/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆
微信:
邮箱:lbc@yhtcdz.com
地址:广东深圳广东省深圳市福田区赛格科技园4栋中5楼505
MOS管是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
mos场效应晶体管NCE2010E采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个负荷开关或PWM应用。它是ESD保护。
mos场效应晶体管NCE2010E参数:
产品型号:NCE2010E
产品种类:MOSFET
产品特性:N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压():20V
连续漏极电流():7A
功率耗散():1.5W
栅源极击穿电压:10V
漏源导通电阻(典型值)(4.5V):15mΩ
封装:TSSOP8
mos场效应晶体管NCE2010E应用领域:
PWM应用
负荷开关
mos场效应晶体管NCE2010E效率曲线:
应用电路图:
mos场效应晶体管NCE2010E更多参数请致电咨询!
企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
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