NCE8651Q采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

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　　结场效应晶体管NCE8651Q一般特征：

　　vds=20V,ID=10A

　　RDS(ON)<11mΩ@VGS=4.5V

　　RDS(ON)<11.5mΩ@VGS=4V

　　RDS(ON)<12.5mΩ@VGS=3.1V

　　RDS(ON)<15.5mΩ@VGS=2.5V

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　2.5v驱动

　　常见的排水类型

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　　结场效应晶体管NCE8651Q应用：

　　电池保护开关

　　移动设备电池充放电

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：10A

　　脉冲漏极电流：32A

　　功耗：1.5W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

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　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明):

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