NCE60P50采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷，该设备非常适合于高电流负载的应用。

　　产品型号：NCE60P50

　　产品种类：MOSFET

　　漏源极击穿电压（）：-60V

　　连续漏极电流（）：-50A

　　功率耗散（）：95W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：23mΩ

　　封装：TO-220

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　　应用领域：

　　负荷开关

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　　一般特征：

　　VDS=-60V,ID=-50A

　　RDS(ON)<28mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

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　　引脚展示：

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-50A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-35A

　　脉冲漏极电流：-150A

　　功耗：95W

　　降额因子：0.76W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：722mj

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

企业名：深圳市誉辉天成电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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