工厂直销TDM3482，小米原装27W车充快充专用MOS方案。40V/20A,N沟道MOS管，DFN3.3*3.3封装。

工厂提供TDM3482样品申请，TDM3482中文规格书与TDM3482报价资料。

—————— 中文规格书描述 ——————

产品分类	MOSFETS晶体管
FET配置(电路类型)	N沟道
漏源击穿电压V(BR)dss	40V
漏极电流(ld,连续)	43A(Tc)
导通电阻Rds(ON)	16mΩ@4.5V
阈值电压Vgs(th)	2.5V@250μA
耗散功率	2.08W
封装/外壳	DFN3.3*3

该MOS TDM3482采用先进的沟道技术提供优异的RDS（ON）和低栅电荷。 该器件适合用作负载开关或在PWM程序

一般特征：

1、RDS（开启）<16mΩ@ VGS = 4.5V
2、RDS（开启）<9.5mΩ@ VGS = 10V
3、高功率和电流处理能力
4、静电防护
5、提供无铅产品

6、表面贴装封装

应用：
  PWM应用程序
  负载开关
  能源管理

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