SI7738DP-T1-GE3是Vishay（威世）公司生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。以下是对该产品的详细介绍

一、基本参数

• 制造商：Vishay Semiconductors（威世半导体）
• 制造商编号：SI7738DP-T1-GE3
• 封装/外壳：PowerPAK-SO-8
• FET类型：N-Channel（N沟道）
• 漏源电压（Vdss）：150V
• 连续漏极电流（Id）：30A
• 栅极-源极电压（Vgs）：。20V
• 导通电阻（Rds(on)@Vgs,Id）：38mΩ@10V, 7.7A（也有信息表明为0.038Ω@10V，这取决于具体测试条件）
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）：4V@250uA
• 栅极电荷（Qg@Vgs）：53nC@10V
• 输入电容（Ciss@Vds）：2.1nF@75V
• 工作温度：-55。C~%2B150。C（TJ）

二、性能特点

• 高电压、大电流能力：适用于需要高电压和大电流处理的场景。
• 低导通电阻：在低导通电阻下工作，能有效减少能量损耗，提高效率。
• 宽温度范围：适用于各种环境温度下的工作需求。
• 符合RoHS标准：无铅设计，符合环保要求。

三、应用领域

SI7738DP-T1-GE3因其高电压、大电流和低导通电阻的特性，广泛应用于各种电力电子转换系统、电机驱动、电源管理等领域，特别是在需要高效能转换和控制的场合。

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