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场效应管 HS4N60IA (4A600V,MOSFET)

场效应管 HS4N60IA  (4A600V,MOSFET)
场效应管 HS4N60IA  (4A600V,MOSFET)
  • 品牌/商标:

    HOMSEMI

  • 型号/规格:

    HS4N60IA

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • BVDSS:

    600V

  • ID:

    4A

普通会员
  • 企业名:广州汇扬电子科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 020-89883821

    联系人:刘千里

    地址:广东广州海珠区新港东路2437号(海珠科技园琶洲园区)A栋510室

商品信息

另,我司专营:2~110A,600V,场效应管

                     200~30KW(30KP)3.6~600V瞬态抑制二*管

                     1/4~5W,2.4~300V10%~2%稳压二*管

                     1~60A,50~200V肖特基二*管

                     1~60A,50~600V*快恢复二*管

                     2~50A,50~1000V硅整流桥

                     25~200W功放三*管

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联系方式

企业名:广州汇扬电子科技有限公司

类型:经销商

电话: 020-89883821

联系人:刘千里

地址:广东广州海珠区新港东路2437号(海珠科技园琶洲园区)A栋510室

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