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IRF6604TR1 IRF DIRE*FET 原装* 现货 N-CH 30V

IRF6604TR1 IRF DIRE*FET 原装* 现货 N-CH 30V
IRF6604TR1 IRF DIRE*FET 原装* 现货 N-CH 30V
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF6604TR1

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    30(V)

  • 夹断电压:

    30(V)

  • 跨导:

    30(μS)

  • *间电容:

    30(pF)

普通会员
  • 企业名:深圳市长亮源科技有限公司

    类型:生产加工

    电话: 755-88878818

    联系人:古苏波

    地址:广东深圳福田区华强北路华强广场D座21楼J室

产品分类
商品信息 更新时间:2014-04-30

規格書產品相片其他相關文件產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° CId時的Vgs(th)(*大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱
IRF6604
IRF6614TR1PBF
DirectFET MOSFET 4Ps Checklist
IR Hexfet Circuit
IR Hexfet Circuit
4,800
離散半導體產品
FET - 單路
HEXFET®
MOSFET N通道,金屬氧化物
邏輯電平閘極
30V
12A
11.5 毫歐姆 @ 12A, 7V
2.1V @ 250µA
26nC @ 4.5V
2270pF @ 15V
2.3W
表面黏著式
DirectFET™等距MQ
DIRE*FET™ MQ
編帶和捲軸封裝(TR)
1555 (TW2011-ZH PDF)
IRF6604TR
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