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IRFL4105TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

IRFL4105TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRFL4105TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息 更新时间:2020-06-17

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-223-4
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:3.7 A
Rds上漏源导通电阻:45毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:23 nC
Pd-功率耗散:2.1 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.6毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.5毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFL4105TRPBF SP001551996
单位重量:112毫克
特征

表面贴装
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
快速切换
完全雪崩等级
无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,

可实现每硅面积极低的导通电阻。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠

的器件,可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相,红外或波峰焊技术进行表

面安装而设计。 与其他SOT或SOIC封装一样,其独特

的封装设计可轻松实现自动拾取和放置,但由于有较

大的散热片,因此具有改进的热性能的额外优势。 

在典型的表面贴装应用中,功耗可能为1.0W。
额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

5.2

 

 

A

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

3.7

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

3.0

IDM

Pulsed Drain Current 

30

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)

2.1

W

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)

1.0

 

Linear Derating Factor (PCB Mount) 

8.3

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)

110

mJ

IAR

Avalanche Current 

3.7

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy 

0.10

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ƒ

5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

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邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

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