本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：6.5 A
漏源导通电阻：30 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.2 V
Qg-萘甲酸：15 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：13 S
下降时间：16 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：11 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：36 ns
典型起始延迟时间：8.5 ns
零件号别名：IRLMS2002TRPBF SP001567202
单位重量：20毫克
特征
•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•表面贴装
•提供卷带包装
•2.5V额定
•无铅

描述
这些来自国际整流器公司的N沟道MOSFET利用先进

的处理技术来实现每硅面积极低的导通电阻。 这一

好处为设计人员提供了一种非常高效的设备，可用

于电池和负载管理应用。
Micro6™封装及其定制的引线框架可生产HEXFET®

功率MOSFET，其RDS（on）比类似尺寸的SOT-23

小60％。 该封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵

的应用。 与SOT-23相比，它独特的散热设计和

RDS（on）降低使电流处理能力提高了近300％。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain- Source Voltage	20	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V	6.5	A
ID @ TA= 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V	5.2
IDM	Pulsed Drain Current CD	20
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	2.0	w
PD @TA = 70°C	Power Dissipation	1.3
	Linear Derating Factor	0.016	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 12	V
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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