IRL8114PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
MOSFET工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL8114PBF SP001550392
单位重量：1.800克
应用
•针对UPS /逆变器应用进行了优化
•低压电动工具
好处
•4.5V VGS时RDS（on）低
•低栅极电荷
•完全表征的电容和雪崩SOA
•无铅
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
120 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
85 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
90 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current ‚ |
440 † |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
115 |
W |
|
PD @TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation |
58 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.77 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw„ |
10 lbf·in (1.1 N·m) |
|
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case … |
––– |
1.3 |
°C/W |
|
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface |
0.50 |
––– |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
––– |
62 |
|
EAS (Thermally limited) |
Single Pulse Avalanche Energy ƒ |
200 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current ‚ |
32 |
A |
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ：
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
