本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：2.3 A
Rds漏源导通电阻：200毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-萘甲酸：5.8 nC
Pd-功率耗散：1.7 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLMS6702TRPBF SP001578880
单位重量：20毫克
特征
•第五代技术
•Micro6封装样式
•超低RDS（on）
•P沟道MOSFET
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET®功率MSFET利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。 这项优势与HEXFET®功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
Micro6™封装及其定制的引线框架可生产HEXFET®功率MSFET，其RDS（on）比类似尺寸的SOT-23小60％。 该封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵的应用。 与SOT-23相比，它独特的散热设计和RDS（on）降低使电流处理能力提高了近300％。
额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-2.4	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-1.9
IDM	Pulsed Drain Current CD	-13
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	1.7	W
	Linear Derating Factor	13	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	士 12	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt 0	5.0	V/ns
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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