本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：32 A
Rds上漏源导通电阻：44毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：71 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：130 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：21 S
下降时间：35 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：35 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：39 ns
典型起始延迟时间：11 ns
零件号别名：IRFR3411TRPBF SP001564934
单位重量：4 g
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
D-Pak专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装而设计。 I-Pak直引线版本（IRFU系列）用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。
额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	32	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	23
IDM	Pulsed Drain Current CD	110
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	130	W
	Linear Derating Factor	0.83	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
IAR	Avalanche CurrentCD	16	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	13	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt Gl	7.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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