本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：18 A
Rds漏源导通电阻：110毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：32 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：57 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-加速度：4.2 S
下降时间：16 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：28 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：20 ns
典型起始延迟时间：12 ns
零件号别名：IRFR5505TRPBF SP001573294
单位重量：4 g
特征

超低导通电阻
P-通道
表面安装（RFR5505）
直管（RF05505）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值
无铅

无卤

说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的加工技术，

实现每硅面积的极低导通电阻。其优点结合了HEXFET

功率mosfet众所周知的快速开关速度和坚固的dizeddev-ice设计，

为设计师提供了一个非常高效和可靠的设备，可用于多种应用中。

D-pak设计用于使用蒸汽、红外或波峰焊接技术的表面安装。

直引线版本（RFUseries）用于通孔安装应用程序。

在典型的表面贴装应用中，功耗水平可达1.5瓦。

额定值sparametermaxunitsip e Tc=25%C连续漏极电流，

Ves 0-10vIo Q Tc=100C连续漏极电流，Vos 0-10V低压脉冲漏极

电流①-64Po等=25”C功耗降容系数0.45W/CVGate-to-source电压

单脉冲雪崩能量2150mJ雪崩电流①9.6等效雪崩能量5.7MdV/dtPeak

二极管恢复dv/dt-O-5.0V/nsOperating Junction 55至+150Stg存储

温度范围工作温度10秒300（1.6mm外壳）热阻参数MaxUnitsRjun 

Action-to-case2.2电路对环境（PCB安装电路对环境110°C）。

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-28892811

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