本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：P通道
通道数量：2个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：2.2 A
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：3.6 nC
Pd-功率耗散：960 mW
封装：切割带
封装：卷盘
配置：双
高度：1.1毫米
长度：3毫米
产品：MOSFET小信号
晶体管类型：2 P通道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：SP001579062
单位重量：20毫克
应用领域
•超低导通电阻
•双P沟道MOSFET
•表面贴装
•提供卷带包装
•低门收费
•无铅
•无卤素
描述
这些来自国际整流器公司（International Rectifier）的P沟道MSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积极低的导通电阻。 这一好处为设计人员提供了一种非常高效的设备，可用于电池和负载管理应用。
这种双重TSOP-6封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵且需要功能的应用。 IRF5850每个封装具有两个裸片，因此可以在较小的占地面积内提供两个SOT-23封装的功能。 其独特的散热设计和RDS（on）降低可提高电流处理能力。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain- Source Voltage	-20	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-2.2	A
ID @ TA= 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-1.8
IDM	Pulsed Drain Current CD	-9.0
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	0.96	w
PD @TA = 70°C	Power Dissipation	0.62
	Linear Derating Factor	7.7	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 12	V
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-28892811

手机：13717085518

联系人：张凯

QQ：

微信：

邮箱：szksy82@126.com

地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼