本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：140 A
Rds上漏源导通电阻：9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-萘甲酸：140 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：3.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：55 S
下降时间：35 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：230 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：29 ns
典型起始延迟时间：14 ns
零件号别名：IRL3803STRLPBF SP001550358
单位重量：4 g
特征

逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
表面贴装（R-3803S）
低剖面通孔（RL3803L）
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅

说明
来自国际整流器的第五代HEXFETS极低。在电阻方面，

采用HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和

加固器件设计，以实现先进工艺，为设计师提供了一

个非常高效和可靠的设备，可用于各种各样的应用。

Dpak是一个表面安装的电源包，可用于尺寸高达

HEX-4的普通模具。它提供了的功率能力和

的可能性在任何现有的表面安装包。由于其内部连接

电阻低，可以消散到2，所以2PAK适用于大电流应用。

在典型的表面贴装应用中，通孔型（IRL3803）可用于低剖面应用。
额定值

值额定值sparameterunitic@T=25c连续漏极电流，

Ves Q 10V140It@T:=100C连续漏极电流，Vas 10V98⑤IDMPulsed

漏极电流①PD@TA=25功耗3。8PD@Tc=25摄氏度功率损耗200线性

降额因子栅源电压±16V单脉冲雪崩能量2610雪崩电流①-滞后雪崩

③⑤5.0V工作结55至+175存储温度范围焊接温度下的能量消耗/dtPeak

二极管恢复dv，持续10秒300（距caseThermal R 1.6mmesistance

Parameteryp.MaxUnitsRJunction接口-至外壳0.75REJAJunction至环境（PCB安装，稳态40°C）。

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类型：贸易/代理/分销

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