IRFR4510TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:63 A
Rds上漏源导通电阻:13.9毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-血浆甲醛:54 nC
Pd-功率耗散:143 W
通道模式:增强
商标名:StrongIRFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:62 S
下降时间:34 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:42 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:42 ns
典型中断时间:18 ns
零件号别名:IRFR4510TRPBF SP001567870
单位重量:4 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
63 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
45 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
56 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
252 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
143 |
W |
|
Linear Derating Factor |
0.95 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
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邮箱:szksy82@126.com
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