IRF6785MTRPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:DirectFET-MZ
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续直流电流:19 A
Rds漏源导通电阻:85毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:26 nC
工作温度:-40 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:57 W
通道模式:增强
商标名:DirectFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.7毫米
长度:6.35毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.05毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:14 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.6 ns
工厂包装数量:4800
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:7.2 ns
典型起始延迟时间:6.2 ns
零件号别名:IRF6785MTRPBF SP001562032
特征
的MOSFET硅技术
为D类音频放大器应用优化的关键参数
低RDS(on)可提高效率
低Qg可获得更好的THD和更高的效率
低Qrr可提供更好的THD和更低的EMI
低封装杂散电感,可减少振铃并降低EMI
可以为8负载的半桥配置放大器中的每个通道提供高达250W的功率
兼容双面散热
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅或溴化物
无铅(符合260°C回流焊标准)
描述
该数字音频MSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET利用的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。此外,优化了栅极电荷,体二极管反向恢复和内部栅极电阻,以改善关键的D类音频放大器性能因素,例如效率,THD和EMI。
IRF6785MPbF器件采用DirectFETTM封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比,DirectFETTM封装技术提供了更低的寄生电感和电阻。较低的电感通过减少伴随快速电流瞬变的电压振铃来提高EMI性能。当遵循应用说明AN-1035的制造方法和工艺时,DirectFETTM封装与电力应用,PCB组装设备和气相,红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。 DirectFETTM封装还允许双面冷却,以限度地提高电源系统中的热传递,从而改善热阻和功耗。这些特性相结合,使该MOSFET成为适用于D类音频放大器应用的高效,坚固和可靠的器件。
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
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邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼