本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：100 A
Rds上漏源导通电阻：10毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-萘甲酸：40 nC
Pd-功率耗散：130 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL2203NPBF SP001573688
单位重量：6 g
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的

HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技

术来实现每硅面积的极低导通电阻。 这项优势

与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关

速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员

提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业应用。 

TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	1160	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	82
IDM	Pulsed Drain Current CD	400
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	180	W
	Linear Derating Factor	1.2	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	土 16	V
IAR	Avalanche CurrentCD	60	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	18	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt Gl	5.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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