本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-223-4
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：1.6 A
Rds漏源导通电阻：200毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：17 nC
Pd-功率耗散：2.1 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.6毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2500
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFL4310TRPBF SP001564078
单位重量：112毫克
特征

•表面贴装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•轻松并行
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件

设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的

器件，可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相，红外或波峰焊技术进行

表面安装而设计。 与其他SOT或SOIC封装一样，

其独特的封装设计可轻松实现自动拾取和放置，

但由于散热片的凸片尺寸较大，因此具有改进的

热性能的额外优势。 在典型的表面贴装应用中，

功耗可能为1.0W。

额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V**	2.2	A
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V*	1.6
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V*	1.3
IDM	Pulsed Drain Current CD	13
PD @TA = 25°C	Power Dissipation (PCB Mount)**	2.1	W
PD @TA = 25°C	Power Dissipation (PCB Mount)*	1.0	W
	Linear Derating Factor (PCB Mount)*	8.3	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy�	47	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	1.6	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD*	0.10	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ®	5.0	V/ns
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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