本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MT
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：170 A
Rds上漏源导通电阻：3.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：46 nC
Pd-功率耗散：89 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF6618TRPBF SP001529242
特征
•符合RoHs
•无铅（符合260°C回流焊标准）
•专用MOSFET
•理想用于CPU核心DC-DC转换器
•低传导损耗
•高Cdv / dt免疫力
•薄型（<0.7mm）
•双面散热兼容
•与现有的表面贴装技术兼容

描述
IRF6618PbF将的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，从而在具有SO-8占位面积和仅0.7 mm外形的封装中实现了的导通状态电阻。 DirectFET封装与电源应用，PCB组装设备以及气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。关于制造方法和工艺，遵循应用笔记AN-1035。 DirectFET封装允许双面冷却，以限度地提高电源系统中的热传递，将以前的热阻提高80％。
IRF6618PbF平衡了业界领先的通态电阻，同时地减少了栅极电荷和超低封装电感，从而降低了传导和开关损耗。降低的损耗使该产品非常适合为大电流负载供电的高频/高效DC-DC转换器，例如一代的微处理器。 IRF6618PbF已针对同步降压转换器的SyncFET插座中至关重要的参数进行了优化。

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