本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-30
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
高度：0.75毫米
长度：6 mm
宽度：6毫米
商标：Infineon / IR
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IR3555MTRPBF SP001528768
特征
集成驱动器，肖特基二极管，控制
FET和同步FET
5mV / A片上FET电流感测
具有温度补偿

输入电压（VIN）为4.5V至15V
4.5V至7V的VCC和VDRV电源
输出电压范围为0.25V至5.5V
60A的输出电流能力
高达1.0MHz的工作频率
VCC欠压锁定（UVLO）
8mV / o
C温度模拟输出和
热标志上拉至3.3V
过热保护（OTP）
逐周期对电流进行自我保护
保护（OCP）
MOSFET相故障检测和标记
初步过压保护（Pre-OVP）
兼容3.3V三态PWM输入
Body-Braking™负载瞬态支持
通过PWM三态
二极管仿真模式（DEM）进行了改进
轻载效率
高效的双面冷却
小型6mm x 6mm x 0.9mm PQFN封装
符合RoHS要求的无铅封装

应用领域
高频，高电流，薄型DCDC转换器
适用于CPU，GPU，ASIC，
和DDR内存阵列
描述
IR3555集成了PowIRstage®
 包含一个
集成在一起的同步降压栅极驱动器IC
具有控制和同步MOSFET以及
肖特基二极管进一步提高了效率。的
该封装针对PCB布局，传热，
驱动器/ FET控制时序和的开关节点
遵循布局准则时会响起。配对
栅极驱动器和FET组合可实现更高的
切割所需的较低输出电压时的效率
边缘CPU，GPU，ASIC和DDR内存设计。
IR3555PowIRstage®
 内部MOSFET电流
集成温度的传感算法
补偿实现卓越的电流感
精度与基于控制器的电感器
DCR感应方法。其他功能包括
初步过压保护和标志，内部
逐周期自我保护过电流保护
和标志，相故障标志，过热保护
和标志，以及内部包装温度报。
高达1.0MHz的开关频率可实现高
性能瞬态响应，允许
输出电感器以及输入和输出的小型化
在保持行业领先的同时输出电容器
效率。
与IR的数字控制器结合使用时，IR3555
通过PWM整合了Body-Braking™功能
三态可减少输出电容。
还支持同步二极管仿真模式
通过内置的ZCD_EN＃启用的零交叉检测
IR3555中的电路可增加系统轻载
效率。
IR3555针对CPU内核功率传输进行了优化
服务器应用程序。满足严格的能力
服务器市场的需求也使得
IR3555非常适合为GPU，ASIC，DDR供电
内存和其他大电流设计。

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类型：贸易/代理/分销

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