AOS/美国万代
AOTF404,TO-220F,DIP/MOS,N场,105V,26A,0.028Ω
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
S/开关
N-FET硅N沟道
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
AOTF404,TO-220F,DIP/MOS,N场,105V,26A,0.028Ω
产品型号:AOTF404
概述
该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极charge.This装置是适合使用在高电压同步整流,负载开关和一般用途的应用。
产品特点:
* 开关速度快
* 低导通电阻(导通电阻≤15Ω)
* 低栅极电荷(典型数据:5.0nC)
* 低反向传输电容(典型:2.7pF)
* 100%的单脉冲雪崩能量测试
应用范围:
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* 符合RoHS标准
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):26
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):43
输入电容Ciss(PF):2038 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):73
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):68
导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ.
上升时间Tr(ns):8.2 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ.
下降时间Tf(ns):11.2 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:105V,26A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
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