2SC3356-R25硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管,因为该型号放大倍数为125-250档的命名为R25，并且塑封体本体上印字为R25，所以简称为R25三*管。该三*管具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于NEC公司，现在国内也有生产。目前我司高频微波三*管系列，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S*226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品相同。 

2SC3356电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V 　　直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA 　　集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值) 　　发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值) 　　特征频率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA 　　集电*允许电流IC：0.1（A） 　　集电**大允许耗散功率PT：0.2（W） 　　*功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 　　噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 　　反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。 　　贮存温度Tstg:-65~150℃ 　　封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59 　　功率特性：*率 　　*性：NPN型 　　结构：扩散型 　　材料：硅(Si) 　　封装材料：塑料封装 

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