ME85P03G,SOT-252,SMD/MOS,P场,-30V,-85A,0.008Ω

概述
该ME85P03是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管都采用高密度，DMOS沟道技术生产的

。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如

手机和笔记本电脑的电源管理和其他电池供电电路中的开关，以及低线的功率损耗，

需要在一个非常小的外形表面装载包装。

特点 :
 * RDS（ON）≦8MΩ@ VGS=-10V
 * RDS（ON）≦11MΩ@ VGS=-4.5V
 * 超高密度电池设计极低的RDS（ON）
 * 卓越的导通电阻和DC电流能力

应用 :
 * 在笔记型电源管理
 * DC/ DC转换器
 * 负荷开关
 * LCD显示变频器

 

 

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