该 AOT12N50＆AOTF12N50使用先进的高电压MOSFET工艺制造，致力于在热门的AC-DC应用设计中提供高水平的性能和稳定性。
通过提供低RDS（on），极间电容和反向传输电容以及雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新的和现有的离线功率电源设计。

 

产品型号:AOTF12N50

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):12

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.52 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):1361 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：16

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):908

导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ.

上升时间Tr(ns):69 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ.

下降时间Tf(ns):55.5 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管

 
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