AO4438L场效应管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：60V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.2A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：22 毫欧 @ 8.2A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：58nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2300pF @ 30V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的参数

    1 输入电阻RGS

    场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω

    2 低频跨导gm

    低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)

    3 漏极功耗PDM

    漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当

    

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