AO4415场效应管规格：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：6V，20V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：26 毫欧 @ 8A，20V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：21nC @ 10V

    Vgs（值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：1100pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

    场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

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