AO4474场效应管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13.4A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：11.5 毫欧 @ 13.4A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：28nC @ 10V

    Vgs（值）：±12V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：1452pF @ 15V

    功率耗散（值）：3.7W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：

    1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。

    3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

    4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

    5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

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