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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：
AOS
型号：
AO4403
封装：
SOP-8
批号：
17+18+
FET类型：
参照PDF
漏源电压（Vdss）：
参照PDF
漏极电流(Id)：
参照PDF
漏源导通电阻(RDS On)：
参照PDF
栅源电压(Vgs)：
参照PDF
栅极电荷(Qg)：
参照PDF
反向恢复时间：
标准
耗散功率：
标准

发布询价信息

相关产品

金牌会员第 13 年

企业名：深圳市创芯联盈电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 15915459078

手机：15915459078

联系人：joanna蔡小姐

QQ：

微信：

邮箱：joey@chusinly.com

地址：广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

产品分类

集成电路(IC)(1971)
∟ 逻辑IC(549)∟ 时钟IC(2)∟ 其他IC(1384)∟ 处理器MPU(36)
电源IC(342)
∟ DC-AC(87)∟ DC-DC(37)∟ LED驱动IC(152)∟ 稳压IC(9)∟ 其他电源IC(57)
半导体存储器(38)
∟ EEPROM（电可擦除可编程ROM）(34)∟ RAM（随机存取存储器）(1)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(3)
二极管(13)
∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(3)∟ PIN二极管(10)
场效应管MOSFET(665)
∟ MOSFET(665)
单片机(1)
∟ 其它单片机配套产品/服务(1)
电容器(578)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(464)∟ 贴片可(微)调电容(1)∟ 铝电解电容(57)∟ 钽电解电容(1)∟ 高压电容(1)∟ 锂离子电容器(54)
传感器(5)
∟ 温(湿)度传感器(5)
电子测量仪器(1)
∟ 晶体管特性图示仪(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2019-08-13

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：AOS/美国万代

型号：AO4403

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：增强型

用途：电视机

封装外形：SMD(SO)/表面封装

材料：P-FET硅P沟道

是否跨境出口货源：是

场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：贴片场效应管场效应管1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

联系方式

企业名：深圳市创芯联盈电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 15915459078

手机：15915459078

联系人：joanna蔡小姐

QQ：

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邮箱：joey@chusinly.com

地址：广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

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