万代MOS管介绍：

    型号：AO4821

    FET 类型：2 个 P 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：12V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：19 毫欧 @ 9A，4.5V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：850mV @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：23nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2100pF @ 6V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    MOS管的分类：

    按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式：MOS管又分耗尽型与增强型，所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类：N沟道消耗型、N沟道增强型、P沟道消耗型、 P沟道增强型。

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