IR MOS管规格：

    规格：IRLML2030TRPBF

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：100 毫欧 @ 2.7A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.3V @ 25?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：1nC @ 4.5V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：110pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：1.3W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：Micro3™/SOT-23

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

   

企业名：深圳市创芯联盈电子有限公司

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