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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4816L AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4816L AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4816L AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：
AOS
型号：
AO4816L
封装：
SOP-8
批号：
17+18+
FET类型：
参照PDF
漏源电压（Vdss）：
参照PDF
漏极电流(Id)：
参照PDF
漏源导通电阻(RDS On)：
参照PDF
栅源电压(Vgs)：
参照PDF
栅极电荷(Qg)：
参照PDF
反向恢复时间：
标准
耗散功率：
标准

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金牌会员第 11 年

企业名：深圳市创芯联盈电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 15915459078

手机：15915459078

联系人：joanna蔡小姐

QQ：

微信：

邮箱：2885251500@cxlydz.com

地址：广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

产品分类

集成电路(IC)(1971)
∟ 逻辑IC(549)∟ 时钟IC(2)∟ 其他IC(1384)∟ 处理器MPU(36)
电源IC(342)
∟ DC-AC(87)∟ DC-DC(37)∟ LED驱动IC(152)∟ 稳压IC(9)∟ 其他电源IC(57)
半导体存储器(38)
∟ EEPROM（电可擦除可编程ROM）(34)∟ RAM（随机存取存储器）(1)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(3)
二极管(13)
∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(3)∟ PIN二极管(10)
场效应管MOSFET(665)
∟ MOSFET(665)
单片机(1)
∟ 其它单片机配套产品/服务(1)
电容器(578)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(464)∟ 贴片可(微)调电容(1)∟ 铝电解电容(57)∟ 钽电解电容(1)∟ 高压电容(1)∟ 锂离子电容器(54)
传感器(5)
∟ 温(湿)度传感器(5)
电子测量仪器(1)
∟ 晶体管特性图示仪(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2019-08-13

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

联系方式

企业名：深圳市创芯联盈电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 15915459078

手机：15915459078

联系人：joanna蔡小姐

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地址：广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

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