国产
国产-011
振荡
大功率
*频
PNP型
点接触型
硅(Si)
直插型
金属封装
见参数(MHz)
1(A)
企业名:深圳市联通达电子有限公司
类型:经销商
电话: 755-83688168
联系人:马敏娜
地址:广东深圳深圳市福田区深南中路华强北
工作原理
晶体三*管(以下简称三*管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压*下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源*性不同外,其工作原理都是相同的,下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。
当b点电位高于e点电位*点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。
在制造三*管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)*基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射*电流了。
由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给,从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得:
Ie=Ib Ic
这就是说,在基*补充一个很小的Ib,就可以在集电*上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持*的比例关系,即:
β1=Ic/Ib
式中:β1--称为直流放大倍数,
集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为:
β=△Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。
三*管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。
三*管,全称应为半导体三*管,也称双*型晶体管,晶体三*管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。
工作原理
晶体三*管(以下简称三*管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压*下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源*性不同外,其工作原理都是相同的,下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。
当b点电位高于e点电位*点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。
在制造三*管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)*基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射*电流了。
由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给,从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得:
Ie=Ib Ic
这就是说,在基*补充一个很小的Ib,就可以在集电*上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持*的比例关系,即:
β1=Ic/Ib
式中:β1--称为直流放大倍数,
集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为:
β=△Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。
三*管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。
"友情链接: 深圳市元东发电子有限公司