品牌:国产 型号:国产-012 应用范围:振荡 功率特性:大功率 频率特性:*频 *性:PNP型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 特征频率:见参数（MHz） 集电*允许电流:1（A） 集电**大允许耗散功率:1（W） 营销方式:* 产品性质:*
工作原理
晶体三*管（以下简称三*管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压*下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源*性不同外，其工作原理都是相同的，下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。
当b点电位高于e点电位*点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。
在制造三*管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）*基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射*电流了。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给，从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基*补充一个很小的Ib，就可以在集电*上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持*的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为：
β=△Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三*管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
三*管，全称应为半导体三*管，也称双*型晶体管,晶体三*管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。
工作原理
晶体三*管（以下简称三*管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压*下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源*性不同外，其工作原理都是相同的，下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。
当b点电位高于e点电位*点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。
在制造三*管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）*基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射*电流了。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给，从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基*补充一个很小的Ib，就可以在集电*上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持*的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为：
β=△Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三*管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
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