制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

 技术:Si安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:83 A

Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhmsVgs 

th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:27 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:53 W

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

高度:0.9 mm 

长度:3.15 mm

 系列:CSD17577Q3A

 晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:3 mm 

商标:Texas Instruments

 正向跨导 - 值:76 S 

下降时间:4 ns

 产品类型:MOSFET 

上升时间:31 ns 

工厂包装数量:2500 

子类别:MOSFETs

 典型关闭延迟时间:20 ns 

典型接通延迟时间:4 ns 

单位重量:27.700 mg

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管。

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