型号：IRFB4310Z  

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:127 A

Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhmsVgs - 

栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:120 nC

配置:SingleP

d-功率耗散:250 W

高度:15.65 mm 

长度:10 mm 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.4 mm 

商标:Infineon Technologies 

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs

零件号别名:SP

单位重量:6 g

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。金氧半场效晶体管在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管组件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不过有些新的制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。今日半导体组件的材料通常以硅为，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中的例如IBM使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程（SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造金氧半场效晶体管组件。当一个够大的电位差施于金氧半场效晶体管的栅极与源极之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时就会形成所谓的“反转沟道”（inversion channel）。沟道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

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