CET/华瑞
CEG8205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
30
25
企业名：深圳市鑫凯盛电子有限公司
类型：经销商
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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻*很高,因此耦合电容可以容量较小,不*使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻**适合作阻*变换.常用于多级放大器的输入级作阻*变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. [编辑本段]2.场效应管的分类: 场效应管分结型、*缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和*缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,*缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.
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