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东沅 FKBA20N15S 单N沟道MOSFET

供应东沅 FKBA20N15S 单N沟道MOSFET
供应东沅 FKBA20N15S 单N沟道MOSFET
  • 型号/规格:

    FKBA20N15S

  • 品牌/商标:

    Fet/东沅

  • 封装形式:

    PRPAK5x6

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • QQ:

    1186670662

  • 资质:

    代理

  • 货源:

    原厂

  • 可售卖地:

    全国

VIP会员 第 13
  • 企业名:深圳市科瑞芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-21001680
    0755-82170220

    手机:
    13925219291

    联系人:林小姐/颜先生

    QQ: QQ:2233965261QQ:44849710

    微信:

    邮箱:koreic@126.com

    地址:广东深圳深圳市宝安区民治梅龙路南源商业大厦1105室(可送货 )

商品信息

Fet/东沅 FKBA20N15S PRPAK5x6 N沟道150V快速开关MOSFET


FKBA20N15S额定参数

● 漏极-源极电压:150V
● 栅源电压:±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃:23A
ID@Tc=100℃:16A
ID@TA=25℃:4.5A
ID@TA=70℃:3.8A
● 脉冲漏极电流:60A
● 总功耗
PD@TC=25℃:72.6W
PD@TA=25℃:2.7W
● 储存温度范围:-55175℃
● 工作接点温度范围:-55至175℃

电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏极-源极击穿电压:150V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V,ID=10A: 47~56mΩ
VGS=4.5V,ID=10A: 53~68mΩ
● 栅极阈值电压:1.2~2.5V
● 漏源漏电流
VDS=120V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=120V,VGS=0V,TJ=85℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:25S
● 栅极总电荷:19nC
● 栅极-源极电荷:4.5nC
● 栅极-漏极电荷:2.6nC
● 开机延迟时间:18ns
● 上升时间:5.8ns
● 关闭延迟时间:26.5ns
● 秋季时间:4.5ns
● 输入电容:1090pF
● 输出电容:93pF
● 反向传输电容:6pF


FKBA20N15S产品规格书(部分)

联系方式

企业名:深圳市科瑞芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-21001680
0755-82170220

手机:
13925219291

联系人:林小姐/颜先生

QQ: QQ:2233965261QQ:44849710

微信:

邮箱:koreic@126.com

地址:广东深圳深圳市宝安区民治梅龙路南源商业大厦1105室(可送货 )

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