国产
AO3402
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
117(pF)
4.2(mA)
350(mW)
企业名:周善朗
类型:经销商
电话: 0769-89001930
联系人:周善朗
地址:广东东莞东莞市凤岗天众大厦
Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted)
Parameter Symbol Value Unit
Drain-Source Voltage VDS -30 V
Gate-Source Voltage VGS &plu*n;12 V
Continuous Drain Current ID -4.2 A
Power Dissipation PD 350 mW
Thermal Resistance from Junction to Ambient (t<5s) RθJA 357 ℃/W
Junction Temperature TJ 150 ℃
Storage Temperature TSTG -55~ 150 ℃
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司