• IRLR024NTRPBF标准包装 2,000
• FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
• FET特点 Logic Level Gate
• 漏极至源极电压（VDSS） 55V
• 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 17A
• Rds（）@ ID，VGS 65 mOhm @ 10A, 10V
• VGS（TH）（）@ Id 2V @ 250μA
• 栅极电荷（Qg）@ VGS 15nC @ 5V
• 输入电容（Ciss）@ Vds的 480pF @ 25V
• 功率 - 45W
• 安装类型 Surface Mount
• 包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供应商器件封装 D-Pak
• 包装材料 Tape & Reel (TR)
• IRLR024NTRPBF包装 3DPAK
• 通道模式 Enhancement
• 漏源电压 55 V
• 连续漏极电流 17 A
• RDS -于 65@10V mOhm
• 门源电压 ±16 V
• 典型导通延迟时间 7.1 ns
• IRLR024NTRPBF典型上升时间 74 ns
• 典型关闭延迟时间 20 ns
• 典型下降时间 29 ns
• 工作温度 -55 to 175 °C
• 安装 Surface Mount
• 标准包装 Tape & Reel
• FET特点 Logic Level Gate
• 封装 Tape & Reel (TR)
• 安装类型 Surface Mount
• 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 17A (Tc)
• 的Vgs（th ） （）@ Id 2V @ 250μA
• 漏极至源极电压（Vdss） 55V
• 供应商设备封装 D-Pak
• 开态Rds（）@ Id ，V GS 65 mOhm @ 10A, 10V
• FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
• 功率 - 45W
• 输入电容（Ciss ） @ VDS 480pF @ 25V
• 其他名称 IRLR024NPBFTR
• 闸电荷（Qg ） @ VGS 15nC @ 5V
• 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
• IRLR024NTRPBF工厂包装数量 2000
• 配置 Single
• 晶体管极性 N-Channel
• 源极击穿电压 16 V
• 连续漏极电流 17 A
• 安装风格 SMD/SMT
• RDS（ON） 110 mOhms
• 功率耗散 38 W
• 工作温度 - 55 C

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