• IRF740STRLPBF标准包装 800
• FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
• FET特点 Standard
• 漏极至源极电压（VDSS） 400V
• IRF740STRLPBF电流-连续漏极（编号）@ 25°C 10A
• Rds（）@ ID，VGS 550 mOhm @ 6A, 10V
• VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
• 栅极电荷（Qg）@ VGS 63nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）@ Vds的 1400pF @ 25V
• 功率 - 3.1W
• 安装类型 Surface Mount
• IRF740STRLPBF包/盒 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供应商器件封装 D2PAK
• 包装材料 Tape & Reel (TR)
• 包装 3D2PAK
• 通道模式 Enhancement
• 漏源电压 400 V
• 连续漏极电流 10 A
• RDS -于 550@10V mOhm
• 门源电压 ±20 V
• 典型导通延迟时间 14 ns
• 典型上升时间 27 ns
• 典型关闭延迟时间 50 ns
• 典型下降时间 24 ns
• 工作温度 -55 to 150 °C
• 安装 Surface Mount
• 标准包装 Tape & Reel
• 门源电压 ±20
• IRF740STRLPBF包装宽度 9.65(Max)
• PCB 2
• 功率耗散 3100
• 漏源电压 400
• 欧盟RoHS指令 Compliant
• 漏源电阻 550@10V
• 每个芯片的元件数 1
• 工作温度 -55
• 供应商封装形式 D2PAK
• 标准包装名称 D2PAK
• 工作温度 150
• 渠道类型 N
• 包装长度 10.41(Max)
• 引脚数 3
• 包装高度 4.83(Max)
• 连续漏极电流 10

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