• IRFP260MPBF标准包装 25
• FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
• FET特点 Standard
• 漏极至源极电压（VDSS） 200V
• 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 50A
• IRFP260MPBFRds（）@ ID，VGS 40 mOhm @ 28A, 10V
• VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
• 栅极电荷（Qg）@ VGS 234nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）@ Vds的 4057pF @ 25V
• 功率 - 300W
• 安装类型 Through Hole
• 包/盒 TO-247-3
• 供应商器件封装 TO-247AC
• 包装材料 Tube
• 包装 3TO-247AC
• 通道模式 Enhancement
• 漏源电压 200 V
• 连续漏极电流 50 A
• RDS -于 40@10V mOhm
• 门源电压 ±20 V
• 典型导通延迟时间 17 ns
• 典型上升时间 60 ns
• IRFP260MPBF典型关闭延迟时间 55 ns
• 典型下降时间 48 ns
• 工作温度 -55 to 175 °C
• 安装 Through Hole
• 标准包装 Rail / Tube
• 门源电压 ±20
• 包装宽度 5.31(Max)
• PCB 3
• 功率耗散 300000
• 漏源电压 200
• 欧盟RoHS指令 Compliant
• IRFP260MPBF漏源电阻 40@10V
• 每个芯片的元件数 1
• 工作温度 -55
• 供应商封装形式 TO-247AC
• 标准包装名称 TO-247
• 工作温度 175
• 渠道类型 N
• 包装长度 15.87(Max)
• 引脚数 3
• 包装高度 20.7(Max)
• 连续漏极电流 50
• 标签 Tab
• 铅形状 Through Hole
• FET特点 Standard
• 封装 Tube
• 安装类型 Through Hole
• 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 50A (Tc)
• 的Vgs（th ） （）@ Id 4V @ 250μA
• 漏极至源极电压（Vdss） 200V
• 供应商设备封装 TO-247AC
• 开态Rds（）@ Id ，V GS 40 mOhm @ 28A, 10V
• FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
• 功率 - 300W
• 输入电容（Ciss ） @ VDS 4057pF @ 25V
• 闸电荷（Qg ） @ VGS 234nC @ 10V
• 封装/外壳 TO-247-3
• RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
• 工厂包装数量 25
• 配置 Single
• 晶体管极性 N-Channel
• 源极击穿电压 20 V

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