厂家：IR 
标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 6.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1200pF @ 25V
功率 - ：125W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：IRF9640PBF

备注：Vishay的第三代功率MOSFET提供设计师与快速切换的组合，加固装置的设计，

低导通电阻和成本效益。在TO- 220封装普遍的所有商业工业应用的功率耗散水平，

以约50瓦的低热阻和TO- 220封装低的成本导致其广泛接受整个行业.

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220AB package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220AB contribute to its

wide acceptance throughout the industry.

This datasheet provides information about parts that are

RoHS-compliant and / or parts that are non-RoHS-compliant. For

example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.

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IRF9640PBF IRF9640PBF IRF9640PBF

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