AO3423场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。 该器件适合用作负载开关应用。

    AO3423场效应管参数：

    漏源极电压 (Vdss)：20V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：92 毫欧 @ 2A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：1.4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.6nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：620pF @ 10V

    功率 - 值：1.4W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

    供应商器件封装：SOT-23-3

    制造商零件编号：AO3423

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 20V 2A SOT23

    系列：-

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

    VDS    -20V

    ID(at VGS=-10V) -2A

    RDS(ON)(at VGS= -10V) < 92mΩ

    RDS(ON) (at VGS= -4.5V) < 118mΩ

    RDS(ON)(at VGS= -2.5V) < 166mΩ

    Typical ESD protection HBM Class 2

    MOS器件保护措施：

    1、MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装。

    2、取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。

    3、焊接用的电烙铁必须良好接地。

    4、在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。

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