AO4437场效应管规格：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：12V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：1.8V，4.5V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：16 毫欧 @ 11A，4.5V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：47nC @ 4.5V

    Vgs（值）：±8V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：4750pF @ 6V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的参数：

    ① 开启电压VGS(th) (或VT)

    开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的，场效应管不能导通

    ② 夹断电压VGS(off) (或VP)

    夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零

    ③ 饱和漏极电流IDSS

    耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流

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